















STMICROELECTRONICS STD16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STD16N65M5, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
N沟道 650V 12A
得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
This STD16N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 90000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh v technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD16N65M5 系列 N 沟道 650 V 0.299 Ohm MDmesh™ V 功率 MosFet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 650V 12A 299mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1250pF @100VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD16N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB16N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STD16N65M5和STB16N65M5的区别 |