STB18NM60ND

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STB18NM60ND概述

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 600 V 0.29 Ohm 130 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK


STB18NM60ND中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 130 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 15.5 ns

输入电容Ciss 1030pF @50VVds

额定功率Max 130 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 8.95 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB18NM60ND
型号: STB18NM60ND
描述:N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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