SUD50P08-26-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD50P08-26-E3概述

MOSFET P-CH 80V 50A TO252

P-Channel 80V 50A Tc 8.3W Ta, 136W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET P-CH 80V 50A TO252

SUD50P08-26-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 8.3W Ta, 136W Tc

漏源极电压Vds 80 V

输入电容Ciss 5160pF @40VVds

耗散功率Max 8.3W Ta, 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50P08-26-E3

型号： SUD50P08-26-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 80V 50A TO252

替代型号SUD50P08-26-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUD50P08-26-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SUD50P08-26-E3和SUD50P08-25L-E3的区别

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Vishay Siliconix

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