STD13N60M2

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STD13N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


立创商城:
N沟道 600V 11A


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
N-ch 600V, 0.35Ω typ., 11A MDmesh M2 Power MOSFET T/R


富昌:
N-Channel 600V 0.38 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Power Mosfet - DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


力源芯城:
600V,0.35Ω,11A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


STD13N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.38 Ω

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 580pF @100VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD13N60M2
型号: STD13N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD13N60M2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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