N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
立创商城:
N沟道 600V 11A
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
N-ch 600V, 0.35Ω typ., 11A MDmesh M2 Power MOSFET T/R
富昌:
N-Channel 600V 0.38 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Power Mosfet - DPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
600V,0.35Ω,11A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.38 Ω
耗散功率 110 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 580pF @100VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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