SI7159DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7159DP-T1-GE3概述

MOSFET 30V 30A 83W 7mohm @ 10V

P-Channel 30V 30A Tc 5.4W Ta, 83W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 30V 30A 83W 7.0mohm @ 10V

SI7159DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.4W Ta, 83W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 5170pF @15VVds

耗散功率Max 5.4W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7159DP-T1-GE3

型号： SI7159DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 30A 83W 7mohm @ 10V