TPN4R712MD,L1Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

TPN4R712MD,L1Q概述

8-TSON高级

表面贴装型 P 通道 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）

得捷:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 36A 8-Pin TSON

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

TPN4R712MD,L1Q中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 4300pF @10VVds

下降时间 145 ns

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-8

外形尺寸

封装 TSON-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： TPN4R712MD,L1Q

描述：8-TSON高级