1N3671A

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1N3671A概述

Diode Switching 800V 12A 2Pin DO-4

Standard Recovery - 800 V - 12 A - DO-4


得捷:
DIODE GEN PURP 800V 12A DO4


艾睿:
Diode Switching 800V 12A 2-Pin DO-4


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  1N3671A  Diode Module, 800 V, 12 A, 1.1 V, Single


MASTER:
Silicon Stud Rectifier - Std Recovery Std Config - 800V - 12A - DO-4


Online Components:
Standard Recovery - 800 V - 12 A - DO-4


AMEYA360:
DIODE GEN PURP 800V 12A DO4


Electro Sonic:
Silicon Stud Rectifier - Std Recovery Std Config - 800V - 12A - DO-4


1N3671A中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @12A

正向电流 12 A

正向电压Max 1.1 V

正向电流Max 12 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-4

外形尺寸

封装 DO-4

物理参数

工作温度 150 ℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8541100080

数据手册

在线购买1N3671A
型号: 1N3671A
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Switching 800V 12A 2Pin DO-4
替代型号1N3671A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N3671A

GeneSiC Semiconductor

当前型号

当前型号

1N3671

美台

功能相似

1N3671A和1N3671的区别

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