1N6373

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1N6373概述

1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors

9.4V Clamp - Ipp Tvs Diode Through Hole Axial


得捷:
TVS DIODE 5VWM 9.4VC AXIAL


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 5V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 Bulk


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 5V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 Bulk


1N6373中文资料参数规格
技术参数

电路数 1

钳位电压 7.5 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 6 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买1N6373
型号: 1N6373
描述:1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
替代型号1N6373
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

1N6373

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MPTE-5RL4

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完全替代

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1N5908RL4

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