2N6387G

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2N6387G概述

ON SEMICONDUCTOR  2N6387G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 W, 10 A, 100 hFE 新

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 - 通孔 TO-220AB


欧时:
ON Semiconductor, 2N6387G


得捷:
TRANS NPN DARL 60V 10A TO220


立创商城:
10 A,80 V,NPN 达林顿双极功率晶体管


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 W, 10 A, 100 hFE


艾睿:
Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
Transistors; Darlington; 10A 60V Bipolar Power NPN


Jameco:
Transistor Darlington NPN 60 Volt 10 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 AmpB Rail


安富利:
Trans Darlington NPN 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB


Verical:
Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 2 W, 10 A, 20 hFE


罗切斯特:
Trans Darlington NPN 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


2N6387G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

输出电压 60 V

输出电流 10 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 62.5℃/W RθJA

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V

最大电流放大倍数hFE 20000

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6387G
型号: 2N6387G
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N6387G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 W, 10 A, 100 hFE 新
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