互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors
The Power 25A 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
Features
---
|
- .
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
VCEsat = 1.0 Vdc, max at IC = 15 Adc
- .
- Low Leakage Current
ICEX = 1.0 mAdc max at Rated Voltage
- .
- Excellent DC Current Gain
hFE = 20 min at IC = 10 Adc
- .
- High Current Gain Bandwidth Product
ft = 4.0 MHz min at IC = 1.0 Adc
- .
- Pb-Free Packages are Available
额定电压DC 80.0 V
额定电流 25.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 80.0 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 100
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
封装 TO-3
材质 Silicon
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5886 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
TIP101G 安森美 | 类似代替 | 2N5886和TIP101G的区别 |
2N5885G 安森美 | 功能相似 | 2N5886和2N5885G的区别 |
2N5886G 安森美 | 功能相似 | 2N5886和2N5886G的区别 |