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2SD2018概述

NPN硅外延平面型达林顿 Silicon NPN epitaxial planar type darlington

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 60 V 1 A - 5 W 通孔 TO-126B-A1

得捷:
TRANS NPN DARL 60V 1A TO126B-A1

Win Source:
TRANS NPN DARL 60V 1A TO-126

2SD2018中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 6500 @1A, 10V

额定功率Max 5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2SD2018

描述：NPN硅外延平面型达林顿 Silicon NPN epitaxial planar type darlington