UMT NPN 50V 0.1A
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323-3
得捷:
TRANS NPN 50V 0.1A SC70
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
极性 NPN
耗散功率 200 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 160 @2mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160 @2mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2PD601AQW,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA123EM3T5G 安森美 | 功能相似 | 2PD601AQW,115和DTA123EM3T5G的区别 |
BCR112 英飞凌 | 功能相似 | 2PD601AQW,115和BCR112的区别 |
MMUN2135LT1G 安森美 | 功能相似 | 2PD601AQW,115和MMUN2135LT1G的区别 |