2SK2463T100参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SK2463T100概述

MPT N-CH 60V 2A

表面贴装型 N 通道 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

贸泽:
MOSFET TRANS MOSFET N-CH 60V 2A TR

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

2SK2463T100中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 200pF @10VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK2463T100

型号： 2SK2463T100

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MPT N-CH 60V 2A