INFINEON BSC060P03NS3EGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
立创商城:
P沟道 30V 17.7A 100A
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC060P03NS3EGATMA1, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V
艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the BSC060P03NS3EGATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC060P03NS3EGATMA1 MOSFET Transistor, P Channel, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0041 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 17.7A
上升时间 139 ns
输入电容Ciss 4530pF @15VVds
下降时间 34 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON
长度 6.35 mm
宽度 5.35 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Onboard charger, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS6673BZ 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSC060P03NS3EGATMA1和FDMS6673BZ的区别 |