BS170RL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BS170RL1G概述

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

N-Channel 60V 500mA Ta 350mW Ta Through Hole TO-92-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

BS170RL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350mW Ta

输入电容 60.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

输入电容Ciss 60pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BS170RL1G

描述：小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

替代型号BS170RL1G