双路场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, 10 V, 1.7 V
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 30V 10A(Ta) 15.6W 表面贴装型 8-VSON(3.3x3.3)
立创商城:
CSD87503Q3ET
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common source SON 3 mm x 3 mm, 21.9 mOhm
得捷:
30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 10 A, 0.0135 ohm, VSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R
针脚数 8
漏源极电阻 0.0135 Ω
耗散功率 2.6 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 1020pF @15VVds
额定功率Max 15.6 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON EP-8
封装 VSON EP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅