CBR06C680FAGAC

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CBR06C680FAGAC概述

射频电容, C0G / NP0, 68 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]

±1% 250V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0603(1608 公制)


立创商城:
68pF ±1% 250V


得捷:
CAP CER RF 68PF 250V 1% C0G 0603


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 68 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]


艾睿:
Cap Ceramic 68pF 250V C0G 1% Pad SMD 0603 125°C


CBR06C680FAGAC中文资料参数规格
技术参数

电容 68 pF

容差 ±1 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 250 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 0603

外形尺寸

长度 1.60 mm

宽度 0.80 mm

高度 0.8 mm

封装 0603

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CBR06C680FAGAC
型号: CBR06C680FAGAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 68 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]

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