CBR04C729B5GAC

CBR04C729B5GAC图片1
CBR04C729B5GAC图片2
CBR04C729B5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 7.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

±0.1pF 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)


得捷:
CAP CER RF 7.2PF 50V +/-0.1 PF C


立创商城:
7.2pF ±0.1pF 50V


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 7.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]


艾睿:
Cap Ceramic 7.2pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C T/R


CBR04C729B5GAC中文资料参数规格
技术参数

电容 7.2 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CBR04C729B5GAC
型号: CBR04C729B5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 7.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台