CSD87503Q3E

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CSD87503Q3E概述

30V,N 沟道 NexFET MOSFET™,双路共源极 SON3x3,21.9mΩ 8-VSON -55 to 150

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 30V 10A(Ta) 15.6W 表面贴装型 8-VSON(3.3x3.3)


立创商城:
CSD87503Q3E


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common source SON 3 mm x 3 mm, 21.9 mOhm


得捷:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R


Verical:
High Frequency Synchronous Power Module


CSD87503Q3E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.6 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1020pF @15VVds

额定功率Max 15.6 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON EP-8

外形尺寸

封装 VSON EP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CSD87503Q3E
型号: CSD87503Q3E
制造商: TI 德州仪器
描述:30V,N 沟道 NexFET MOSFET™,双路共源极 SON3x3,21.9mΩ 8-VSON -55 to 150

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