CSD18511KTTT

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CSD18511KTTT概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V

N-Channel 40V 110A Ta, 194A Tc 188W Ta Surface Mount DDPAK/TO-263-3


立创商城:
CSD18511KTTT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.6 mOhm


得捷:
MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


CSD18511KTTT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0021 Ω

耗散功率 188 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 4570pF @20VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

CSD18511KTTT引脚图与封装图
CSD18511KTTT引脚图
CSD18511KTTT封装图
CSD18511KTTT封装焊盘图
在线购买CSD18511KTTT
型号: CSD18511KTTT
制造商: TI 德州仪器
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V

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