CSD25501F3T

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CSD25501F3T概述

-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

P-Channel 20V 3.6A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-LGA 0.73x0.64


欧时:
Trans MOSFET P-CH, CSD25501F3T


得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA


立创商城:
CSD25501F3T


德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin LGA T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA / P-Channel 20 V 3.6A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-LGA 0.73x0.64


CSD25501F3T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.5 W

上升时间 428 ns

输入电容Ciss 295pF @10VVds

下降时间 945 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

封装 PICOSTAR-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CSD25501F3T引脚图与封装图
CSD25501F3T引脚图
CSD25501F3T封装图
CSD25501F3T封装焊盘图
在线购买CSD25501F3T
型号: CSD25501F3T
制造商: TI 德州仪器
描述:-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

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