CBR04C489B5GAC

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CBR04C489B5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 4.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 4.8 pF, +/-0.1 pF, 50 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0402


立创商城:
4.8pF ±0.1pF 50V


得捷:
CAP CER RF 4.8PF 50V +/-0.1 PF C


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 4.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]


CBR04C489B5GAC中文资料参数规格
技术参数

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CBR04C489B5GAC
型号: CBR04C489B5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 4.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

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