DG442BDY-T1-E3

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DG442BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 900 mW

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DG442BDY-T1-E3
型号: DG442BDY-T1-E3
描述:改进的四路SPST CMOS模拟开关 Improved Quad SPST CMOS Analog Switches

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