DG308BDQ-E3

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DG308BDQ-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 640 mW

耗散功率Max 640 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

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型号: DG308BDQ-E3
描述:改进的四路CMOS模拟开关 Improved Quad CMOS Analog Switches

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