DG308BDQ-E3
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DG308BDQ-E3
DG308BDQ-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率
640 mW
耗散功率Max
640 mW
封装参数
安装方式
Surface Mount
封装
TSSOP
外形尺寸
封装
TSSOP
物理参数
工作温度
-40℃ ~ 85℃
符合标准
RoHS标准
Non-Compliant
数据手册
在线购买DG308BDQ-E3
型号:
DG308BDQ-E3
制造商:
Vishay Semiconductor 威世
描述:
改进的四路CMOS模拟开关 Improved Quad CMOS Analog Switches
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