EL-PT5529B/L2

EL-PT5529B/L2图片1
EL-PT5529B/L2图片2
EL-PT5529B/L2中文资料参数规格
技术参数

波长 860 nm

耗散功率 100 mW

下降时间 15 µs

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 100 mW

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EL-PT5529B/L2
型号: EL-PT5529B/L2
描述:Photodetector Transistors Dual Phototransistor Side Looking

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台