EGP10BHE3/73参数规格_中文资料_数据手册PDF

EGP10BHE3/73概述

Diode 1A 100V 50ns Smc

Diode Standard 100V 1A Through Hole DO-204AL DO-41

得捷:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

贸泽:
Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated

EGP10BHE3/73中文资料参数规格

技术参数

正向电压 950mV @1A

反向恢复时间 50 ns

正向电流 1 A

正向电压Max 950mV @1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AL

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 2.7 mm

高度 2.7 mm

封装 DO-204AL

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EGP10BHE3/73

型号： EGP10BHE3/73

描述：Diode 1A 100V 50ns Smc

替代型号EGP10BHE3/73

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
EGP10BHE3/73 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
EGP10B-E3/73 威世	完全替代	EGP10BHE3/73和EGP10B-E3/73的区别
SB1100 Diotec Semiconductor	功能相似	EGP10BHE3/73和SB1100的区别
FE1B Diotec Semiconductor	功能相似	EGP10BHE3/73和FE1B的区别