FDC699P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -7.00 A
漏源极电阻 22.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2640pF @10VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SSOT-6
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SSOT-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDC699P
型号： FDC699P
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：P沟道2.5V的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V PowerTrencH MOSFET
替代型号FDC699P
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDC699P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDC699P_F077 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDC699P和FDC699P_F077的区别 |