P沟道的Vgs -2.5指定的PowerTrench MOSFET P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V
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最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -12V
最大漏极电流IdDrain Current| -4.2A/-0.2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 120mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -3.3A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6~-1.5V
耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W
Description & Applications| P-Channel -2.5 Vgs Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel -2.5V specified MOSFET uses ’s advanced low voltage Power Trench process. It has been optimized for battery power management applications. Applications • Battery management • Load switch Features • Low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDSON • Compact industry standard SC75-6 surface mount package
描述与应用| P沟道-2.5 VGS指定的动力沟道MOSFET 概述 此P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压功率沟槽过程。它已被优化的电池电源管理应用。 应用 •电池管理 •负荷开关 特点 •低栅极电荷 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •紧凑型工业标准SC75-6表面贴装封装
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.20 A
漏源极电阻 70.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.6W Ta
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 4.20 A
上升时间 9.00 ns
输入电容Ciss 780pF @10VVds
额定功率Max 1.6 W
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-75-6
封装 SC-75-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDJ129P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDJ129P_F077 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDJ129P和FDJ129P_F077的区别 |