900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
N-Channel 900 V 5.8A Tc 185W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
立创商城:
N沟道 900V 5.8A
贸泽:
MOSFET 900V N-Channel QFET
额定电压DC 900 V
额定电流 5.80 A
通道数 1
漏源极电阻 2.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 185 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
额定功率Max 185 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 185W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQA5N90 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQA6N90C 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQA5N90和FQA6N90C的区别 |