FQNL1N50BBU概述
N沟道 500V 270mA
N-Channel 500V 270mA Tc 1.5W Tc Through Hole TO-92-3
立创商城:
N沟道 500V 270mA
得捷:
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
贸泽:
MOSFET 500V Single
FQNL1N50BBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 270 mA
漏源极电阻 6.80 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 270 mA
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 150pF @25VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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