FQAF5N90概述
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
N-Channel 900 V 4.1A Tc 90W Tc Through Hole TO-3PF
立创商城:
N沟道 900V 4.1A
得捷:
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF
FQAF5N90中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 4.10 A
漏源极电阻 2.30 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90W Tc
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.10 A
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
额定功率Max 90 W
耗散功率Max 90W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SC-94
外形尺寸
封装 SC-94
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FQAF5N90
替代型号FQAF5N90
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQAF5N90 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQPF6N90C 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQAF5N90和FQPF6N90C的区别 |