N沟道 800V 3A
N-Channel 800 V 3A Tc 3.13W Ta, 107W Tc Through Hole I2PAK TO-262
立创商城:
N沟道 800V 3A
得捷:
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
贸泽:
MOSFET 800V N-Channel QFET
额定电压DC 800 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 5.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 690pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 107W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQI3N80TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQI3N80 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQI3N80TU和FQI3N80的区别 |