900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
N-Channel 900V 6.4A Tc 198W Tc Through Hole TO-3P
立创商城:
N沟道 900V 6.4A
得捷:
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
额定电压DC 900 V
额定电流 6.40 A
漏源极电阻 1.93 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 198 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.40 A
输入电容Ciss 1880pF @25VVds
额定功率Max 198 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 198W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQA6N90 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQA8N90C 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQA6N90和FQA8N90C的区别 |
FQA8N90C_F109 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQA6N90和FQA8N90C_F109的区别 |
FQA8N90C-F109 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQA6N90和FQA8N90C-F109的区别 |