FDAF75N28

FDAF75N28中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 280 V

额定电流 46.0 A

漏源极电阻 41.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 215 W

输入电容 6.70 nF

栅电荷 144 nC

漏源极电压Vds 280 V

漏源击穿电压 280 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 46.0 A

上升时间 580 ns

输入电容Ciss 6700pF @25VVds

额定功率Max 215 W

下降时间 310 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 215W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDAF75N28
型号: FDAF75N28
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:280V N沟道MOSFET 280V N-Channel MOSFET

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