FDD6N25TF

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FDD6N25TF概述

250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

N-Channel 250 V 4.4A Tc 50W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK


立创商城:
N沟道 250V 4.4A


贸泽:
MOSFET 250V N-CH MOSFET


FDD6N25TF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 900 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

输入电容 250 pF

栅电荷 6.00 nC

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.40 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 250pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD6N25TF
型号: FDD6N25TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
替代型号FDD6N25TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDD6N25TF

Fairchild 飞兆/仙童

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