FCD5N60TF

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FCD5N60TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 4.60 A

漏源极电阻 810 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 54W Tc

输入电容 600 pF

栅电荷 16.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.60 A

输入电容Ciss 600pF @25VVds

额定功率Max 54 W

耗散功率Max 54W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCD5N60TF
型号: FCD5N60TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
替代型号FCD5N60TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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