FDD6N50FTF

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FDD6N50FTF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 89W Tc

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

输入电容Ciss 960pF @25VVds

额定功率Max 89 W

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD6N50FTF
型号: FDD6N50FTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET 500V , 5.5A , 1.15ヘ N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ
替代型号FDD6N50FTF
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