FQB5N50CFTM

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FQB5N50CFTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 5.00 A

通道数 1

漏源极电阻 1.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 96 W

输入电容 625 pF

栅电荷 24.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 625pF @25VVds

额定功率Max 96 W

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQB5N50CFTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

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