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FDI8442概述

N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

N-Channel 40 V 23A Ta, 80A Tc 254W Tc Through Hole I2PAK TO-262

立创商城:
N沟道 40V 23A 80A

得捷:
MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK

FDI8442中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 254W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 23A

输入电容Ciss 12200pF @25VVds

额定功率Max 254 W

耗散功率Max 254W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDI8442

型号： FDI8442

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET