600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Description
SuperFET is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.
Features
• 650V @TJ= 150°C
• Typ. Rdson=0.53Ω
• Ultra low gate charge typ. Qg=23nC
• Low effective output capacitance typ. Coss.eff=60pF
• 100% avalanche tested
贸泽:
MOSFET 600V N-CHANNEL MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
额定电压DC 600 V
额定电流 7.00 A
漏源极电阻 530 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
输入电容 920 pF
栅电荷 30.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 920pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FCD7N60TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FCD7N60TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FCD7N60TF和FCD7N60TM的区别 |