FQN1N60CBU

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FQN1N60CBU中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 9.30 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1W Ta, 3W Tc

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 300 mA

输入电容Ciss 170pF @25VVds

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1W Ta, 3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQN1N60CBU
型号: FQN1N60CBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 600V 300mA

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