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FCA16N60_F109中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 220 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 167W Tc

漏源极电压Vds 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCA16N60_F109

型号： FCA16N60_F109

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

替代型号FCA16N60_F109

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FCA16N60_F109 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
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