FDV303N_NB9U008

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FDV303N_NB9U008中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 450 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 0.68A

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 50pF @10VVds

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDV303N_NB9U008
型号: FDV303N_NB9U008
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N-CH 25V 680mA SOT-23
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Fairchild 飞兆/仙童

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