FDB8160

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FDB8160中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 254W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 11825pF @15VVds

额定功率Max 254 W

耗散功率Max 254W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB8160
型号: FDB8160
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道的PowerTrench ? MOSFET 30V , 80A , 1.8MΩ N-Channel PowerTrench? MOSFET 30V, 80A, 1.8mΩ

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