FCD4N60TM_WS

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FCD4N60TM_WS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.9A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 540pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FCD4N60TM_WS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

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