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FQA5N90_F109中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 185W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.8A

输入电容Ciss 1550pF @25VVds

耗散功率Max 185W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA5N90_F109

型号： FQA5N90_F109

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P

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