FQA7N80_F109参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FQA7N80_F109中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 198W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 7.2A

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

耗散功率Max 198W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA7N80_F109

型号： FQA7N80_F109

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

替代型号FQA7N80_F109

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FQA7N80_F109 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FQA7N80C_F109 飞兆/仙童	类似代替	FQA7N80_F109和FQA7N80C_F109的区别
AOTF8N80 万代半导体	功能相似	FQA7N80_F109和AOTF8N80的区别
AOT8N80L 万代半导体	功能相似	FQA7N80_F109和AOT8N80L的区别