FD1000R33HE3-K

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FD1000R33HE3-K概述

IHM -B模块,具有快速海沟/场终止IGBT3和发射极控制二极管3 IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

Summary of Features:

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High DC Stability
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High Short Circuit Capability
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Self Limiting short Circuit Current
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Low switching Losses
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Tvj op = 150°C
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Low Vcesat with positive Temperature coefficient
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AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
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Package with CTI > 600
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Isolated Base Plate

Benefits:

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Standardized housing
FD1000R33HE3-K中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Screw

封装 IHM-B

外形尺寸

封装 IHM-B

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles, Drives, Wind, Traction

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

FD1000R33HE3-K引脚图与封装图
FD1000R33HE3-K电路图
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型号: FD1000R33HE3-K
描述:IHM -B模块,具有快速海沟/场终止IGBT3和发射极控制二极管3 IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

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