FP25R12W2T4BOMA1概述
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
IGBT 模块 - 三相反相器 底座安装 模块
得捷:
IGBT MOD 1200V 39A 175W
欧时:
Infineon FP25R12W2T4BOMA1
e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray
Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray
FP25R12W2T4BOMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 175 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 1.45nF @25V
额定功率Max 175 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 175000 mW
封装参数
引脚数 23
封装 AG-EASY2B-1
外形尺寸
封装 AG-EASY2B-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Battery Charger, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives, Air Conditioning System, Medical, Solar
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FP25R12W2T4BOMA1引脚图与封装图 
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