IXFN64N60P概述
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN64N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V
The is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
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- International standard package
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- miniBLOC with aluminium nitride isolation
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- UL94V-0 Flammability rating
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- Unclamped inductive switching UIS rated
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- Rugged polysilicon gate cell structure
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- Low package inductance
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- Easy to mount
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- Space savings
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- High power density
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- Low RDS ON HDMOS™ process
IXFN64N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 64.0 A
针脚数 4
漏源极电阻 0.096 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 W
阈值电压 5 V
输入电容 1.15 nF
栅电荷 200 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 12000pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Thermal Management, 热管理, Motor Drive & Control, Power Management, 照明, Industrial, 工业, 电机驱动与控制, Lighting, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买IXFN64N60P
型号： IXFN64N60P
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXFN64N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V